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韩国企业KC Tech突破半导体材料自主化_蜘蛛资讯网

日本味之素ABF主导。随着AI与高性能芯片普及，线路宽度已缩至5微米以下，传统数微米级二氧化硅（SiO₂）填料导致表面粗糙度上升，引发电子迁移阻力增大、信号损耗及曝光精度下降等问题。          KC Tech提出“填料微细化+CMP工艺优化”方案，目标将表面粗糙度与碟形坑（Dishing）控制在0.5微米以下。

23万股，每股作价50.0612港元，总金额约311.88万港元。增持后最新持股数目约4356.58万股，最新持股比例为33.11%。责任编辑：卢昱君

Tech提出“填料微细化+CMP工艺优化”方案，目标将表面粗糙度与碟形坑（Dishing）控制在0.5微米以下。目前已掌握核心CMP技术，正推进材料与工艺的匹配优化，兼顾低介电、低损耗及平坦化结构设计。          该技术可应用于高端FC-BGA基板、中介层（Interposer）、玻璃通孔（TGV）、面板级封

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发布时间：00:09:22